0 0 0
  8. SUM70101EL-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SUM70101EL-GE3

 
SUM70101EL-GE3
 
VISHAY
Артикул: 842608
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
800+
234.48 грн
Мин. заказ: 800
Кратность:  800
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-120А(1743769)
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм(1479025)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
0,19мкC(1950536)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-240А(1811083)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SUM70101EL-GE3
VISHAY
Артикул: 842608
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
800+
234.48 грн
Мин. заказ: 800
Кратность:  800
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-120А
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
0,19мкC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-240А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g