0 0 0
  8. SUM80090E-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SUM80090E-GE3

 
SUM80090E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 947617
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 128А; Idm: 240А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
215.32 грн
7+
161.29 грн
17+
152.55 грн
800+
146.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
128А(1599487)
Сопротивление в открытом состоянии
9мОм(1479207)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
95нC(1609950)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
240А(1741658)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SUM80090E-GE3
VISHAY
Артикул: 947617
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 128А; Idm: 240А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
215.32 грн
7+
161.29 грн
17+
152.55 грн
800+
146.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
128А
Сопротивление в открытом состоянии
9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
95нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
240А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g