0 0 0
  8. SUM90N03-2M2P-E3

Транзисторы с каналом N SMD SUM90N03-2M2P-E3

 
SUM90N03-2M2P-E3
 
VISHAY
Артикул: 846987
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 90А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
800+
155.73 грн
Мин. заказ: 800
Кратность:  800
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
90А(1479466)
Сопротивление в открытом состоянии
2,7мОм(1479288)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
257нC(1985943)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SUM90N03-2M2P-E3
VISHAY
Артикул: 846987
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 90А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
800+
155.73 грн
Мин. заказ: 800
Кратность:  800
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
90А
Сопротивление в открытом состоянии
2,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
257нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g