0 0 0
  8. SUP50010E-GE3

Транзисторы с каналом N THT SUP50010E-GE3

 
SUP50010E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 843865
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 150А; Idm: 500А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
248.57 грн
6+
184.24 грн
15+
173.92 грн
1000+
167.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
150А(1441539)
Сопротивление в открытом состоянии
2,5мОм(1479571)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
212нC(1478992)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
500А(1714522)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT SUP50010E-GE3
VISHAY
Артикул: 843865
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 150А; Idm: 500А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
248.57 грн
6+
184.24 грн
15+
173.92 грн
1000+
167.57 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
150А
Сопротивление в открытом состоянии
2,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
212нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
500А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g