0 0 0
  8. SUP60030E-GE3

Транзисторы с каналом N THT SUP60030E-GE3

 
SUP60030E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 843864
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 120А; Idm: 250А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
243.25 грн
6+
179.45 грн
15+
169.88 грн
1000+
163.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
3,6мОм(1479264)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
141нC(1695264)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
250А(1714519)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT SUP60030E-GE3
VISHAY
Артикул: 843864
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 120А; Idm: 250А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
243.25 грн
6+
179.45 грн
15+
169.88 грн
1000+
163.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
3,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
141нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
250А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g