0 0 0
  8. SUP70030E-GE3

Транзисторы с каналом N THT SUP70030E-GE3

 
SUP70030E-GE3
 
VISHAY
Артикул: 843852
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
265.39 грн
5+
200.61 грн
14+
189.68 грн
1000+
182.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
150А(1441539)
Сопротивление в открытом состоянии
3,84мОм(1985945)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
214нC(1985941)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
500А(1714522)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT SUP70030E-GE3
VISHAY
Артикул: 843852
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 150А; Idm: 500А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
265.39 грн
5+
200.61 грн
14+
189.68 грн
1000+
182.65 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
150А
Сопротивление в открытом состоянии
3,84мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
214нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
500А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g