0 0 0
  8. SUP85N10-10-GE3

Транзисторы с каналом N THT SUP85N10-10-GE3

 
SUP85N10-10-GE3
 
VISHAY
Артикул: 843861
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 85А; Idm: 240А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
234.48 грн
7+
162.70 грн
17+
153.93 грн
1000+
150.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 250 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
85А(1441551)
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм(1441360)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
160нC(1479521)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
240А(1741658)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,07 g
 
Транзисторы с каналом N THT SUP85N10-10-GE3
VISHAY
Артикул: 843861
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 85А; Idm: 240А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
234.48 грн
7+
162.70 грн
17+
153.93 грн
1000+
150.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 250 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
85А
Сопротивление в открытом состоянии
22мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
160нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
240А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,07 g