0 0 0
  7. VS-FC420SA10

Транзисторные модули MOSFET VS-FC420SA10

 
VS-FC420SA10
 
VISHAY
Артикул: 995163
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 330А; SOT227B; винтами; 652Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 024.44 грн
2+
1 914.04 грн
25+
1 911.71 грн
100+
1 835.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
330А(1714525)
Сопротивление в открытом состоянии
1,3мОм(1479620)
Рассеиваемая мощность
652Вт(2009399)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,13кА(2009398)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET VS-FC420SA10
VISHAY
Артикул: 995163
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 330А; SOT227B; винтами; 652Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 024.44 грн
2+
1 914.04 грн
25+
1 911.71 грн
100+
1 835.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
330А
Сопротивление в открытом состоянии
1,3мОм
Рассеиваемая мощность
652Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,13кА
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g