0 0 0
  8. WMAA2N100D1

Транзисторы с каналом N THT WMAA2N100D1

 
WMAA2N100D1
 
WAYON
Артикул: 834159
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 1кВ; 2А; Idm: 8А; 60Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
44.47 грн
10+
31.13 грн
25+
24.89 грн
71+
14.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 561 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO251(1492057)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
2А(1441386)
Сопротивление в открытом состоянии
6,3Ом(1638796)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
60Вт(1701959)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Технология
WMOS™ D1(1973083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
8А(1709892)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,379 g
 
Транзисторы с каналом N THT WMAA2N100D1
WAYON
Артикул: 834159
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 1кВ; 2А; Idm: 8А; 60Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
44.47 грн
10+
31.13 грн
25+
24.89 грн
71+
14.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 561 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO251
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
2А
Сопротивление в открытом состоянии
6,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
60Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
18нC
Технология
WMOS™ D1
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,379 g