0 0 0
  8. WMH4N80D1B

Транзисторы с каналом N THT WMH4N80D1B

 
WMH4N80D1B
 
WAYON
Артикул: 834164
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 800В; 4А; Idm: 16А; 96Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.96 грн
10+
24.85 грн
25+
19.90 грн
75+
17.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO252S3(1739757)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
3,5Ом(1441512)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
96Вт(1740786)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
13нC(1479038)
Технология
WMOS™ D1(1973083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT WMH4N80D1B
WAYON
Артикул: 834164
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 800В; 4А; Idm: 16А; 96Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.96 грн
10+
24.85 грн
25+
19.90 грн
75+
17.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO252S3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
3,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
96Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
13нC
Технология
WMOS™ D1
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g