0 0 0
  8. WMJ30N65EM

Транзисторы с каналом N THT WMJ30N65EM

 
WMJ30N65EM
 
WAYON
Артикул: 780732
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 16А; Idm: 100А; 210Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
430.87 грн
3+
345.01 грн
6+
192.02 грн
15+
181.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
210Вт(1740833)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
42нC(1478958)
Технология
WMOS™ EM(1960114)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT WMJ30N65EM
WAYON
Артикул: 780732
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 16А; Idm: 100А; 210Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
430.87 грн
3+
345.01 грн
6+
192.02 грн
15+
181.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
210Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
42нC
Технология
WMOS™ EM
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g