0 0 0
  8. WMJ36N65F2

Транзисторы с каналом N THT WMJ36N65F2

 
WMJ36N65F2
 
WAYON
Артикул: 780775
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
558.11 грн
3+
446.49 грн
4+
249.00 грн
11+
234.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
277Вт(1741750)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
46нC(1479438)
Технология
WMOS™ F2(1946792)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT WMJ36N65F2
WAYON
Артикул: 780775
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
558.11 грн
3+
446.49 грн
4+
249.00 грн
11+
234.95 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
277Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
46нC
Технология
WMOS™ F2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g