Транзисторы с каналом N THT WMJ53N65F2

 
WMJ53N65F2
 
Артикул: 780720
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
664.98 грн
3+
531.51 грн
4+
285.10 грн
10+
269.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
26А(1441513)
Сопротивление в открытом состоянии
78мОм(1479284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
350Вт(1701906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
58нC(1478954)
Технология
WMOS™ F2(1946792)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
90А(1797079)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,13 g
 
Транзисторы с каналом N THT WMJ53N65F2
WAYON
Артикул: 780720
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
664.98 грн
3+
531.51 грн
4+
285.10 грн
10+
269.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
26А
Сопротивление в открытом состоянии
78мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
350Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
58нC
Технология
WMOS™ F2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
90А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,13 g