Транзисторы с каналом N THT WMJ80N60EM

 
WMJ80N60EM
 
Артикул: 780735
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 600В; 48А; Idm: 295А; 430Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 303.14 грн
2+
652.73 грн
5+
617.07 грн
900+
593.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
48А(1441568)
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
430Вт(1747343)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
142нC(1479552)
Технология
WMOS™ EM(1960114)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
295А(1918352)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT WMJ80N60EM
WAYON
Артикул: 780735
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 600В; 48А; Idm: 295А; 430Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 303.14 грн
2+
652.73 грн
5+
617.07 грн
900+
593.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
48А
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
430Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
142нC
Технология
WMOS™ EM
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
295А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g