Транзисторы с каналом N THT WMJ80R350S

 
WMJ80R350S
 
Артикул: 780725
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
423.31 грн
3+
338.02 грн
6+
191.12 грн
15+
180.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 298 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
8,4А(1610005)
Сопротивление в открытом состоянии
0,33Ом(1645025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
183Вт(1758557)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Технология
WMOS™ S(1960117)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
56А(1789201)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,08 g
 
Транзисторы с каналом N THT WMJ80R350S
WAYON
Артикул: 780725
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
423.31 грн
3+
338.02 грн
6+
191.12 грн
15+
180.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 298 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
8,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,33Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
183Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
31нC
Технология
WMOS™ S
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
56А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,08 g