Транзисторы с каналом N THT WMJ99N60F2

 
WMJ99N60F2
 
Артикул: 780760
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 60А; Idm: 350А; 460Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 340.35 грн
2+
669.79 грн
3+
669.01 грн
4+
632.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
25,5мОм(1642926)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
460Вт(1741740)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
174нC(1750619)
Технология
WMOS™ F2(1946792)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
350А(1811067)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT WMJ99N60F2
WAYON
Артикул: 780760
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 60А; Idm: 350А; 460Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 340.35 грн
2+
669.79 грн
3+
669.01 грн
4+
632.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
25,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
460Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
174нC
Технология
WMOS™ F2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
350А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g