0 0 0
  8. WMM30N80M3

Транзисторы с каналом N SMD WMM30N80M3

 
WMM30N80M3
 
WAYON
Артикул: 778671
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 15А; Idm: 96А; 277Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
283.39 грн
5+
205.59 грн
14+
194.48 грн
25+
193.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
15А(1441590)
Сопротивление в открытом состоянии
0,195Ом(1632938)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
277Вт(1741750)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Технология
SJ-MOSFET M3(1739749)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
96А(1758594)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMM30N80M3
WAYON
Артикул: 778671
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 15А; Idm: 96А; 277Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
283.39 грн
5+
205.59 грн
14+
194.48 грн
25+
193.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
15А
Сопротивление в открытом состоянии
0,195Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
277Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
60нC
Технология
SJ-MOSFET M3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
96А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g