0 0 0
  8. WMM36N60F2

Транзисторы с каналом N SMD WMM36N60F2

 
WMM36N60F2
 
WAYON
Артикул: 778250
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 20А; Idm: 100А; 277Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
321.63 грн
3+
286.69 грн
6+
189.01 грн
15+
178.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
277Вт(1741750)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
46нC(1479438)
Технология
WMOS™ F2(1946792)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMM36N60F2
WAYON
Артикул: 778250
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; полевой; 600В; 20А; Idm: 100А; 277Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
321.63 грн
3+
286.69 грн
6+
189.01 грн
15+
178.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
277Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
46нC
Технология
WMOS™ F2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g