0 0 0
  8. WMM4N90D1B

Транзисторы с каналом N SMD WMM4N90D1B

 
WMM4N90D1B
 
WAYON
Артикул: 836327
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 900В; 4А; Idm: 16А; 63Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
53.08 грн
5+
26.69 грн
25+
24.04 грн
52+
19.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
1,85Ом(1638684)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
63Вт(1520822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
34нC(1479140)
Технология
WMOS™ D1(1973083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMM4N90D1B
WAYON
Артикул: 836327
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 900В; 4А; Idm: 16А; 63Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
53.08 грн
5+
26.69 грн
25+
24.04 грн
52+
19.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
1,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
63Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
34нC
Технология
WMOS™ D1
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g