0 0 0
  8. WMM53N65C4

Транзисторы с каналом N SMD WMM53N65C4

 
WMM53N65C4
 
WAYON
Артикул: 778677
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
328.43 грн
5+
238.01 грн
12+
224.88 грн
800+
216.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
26А(1441513)
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм(1441497)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
350Вт(1701906)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
58нC(1478954)
Технология
WMOS™ C4(1795261)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
90А(1797079)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMM53N65C4
WAYON
Артикул: 778677
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
328.43 грн
5+
238.01 грн
12+
224.88 грн
800+
216.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
26А
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
350Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
58нC
Технология
WMOS™ C4
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
90А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g