0 0 0
  8. WMM80R350S

Транзисторы с каналом N SMD WMM80R350S

 
WMM80R350S
 
WAYON
Артикул: 778734
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
223.50 грн
5+
201.39 грн
7+
161.11 грн
18+
152.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
8,4А(1610005)
Сопротивление в открытом состоянии
0,33Ом(1645025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
183Вт(1758557)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Технология
WMOS™ S(1960117)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
56А(1789201)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMM80R350S
WAYON
Артикул: 778734
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
223.50 грн
5+
201.39 грн
7+
161.11 грн
18+
152.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
8,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,33Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
183Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
31нC
Технология
WMOS™ S
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
56А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g