Транзисторы с каналом N SMD WMM90R830S

 
WMM90R830S
 
Артикул: 778669
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 900В; 7А; 73Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
124.42 грн
5+
111.28 грн
11+
90.26 грн
30+
85.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
(1441285)
Сопротивление в открытом состоянии
0,83Ом(1459309)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
73Вт(1598008)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
WMOS™ S(1960117)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMM90R830S
WAYON
Артикул: 778669
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; полевой; 900В; 7А; 73Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
124.42 грн
5+
111.28 грн
11+
90.26 грн
30+
85.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
0,83Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
73Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
WMOS™ S
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g