0 0 0
  8. WMO10N65C4

Транзисторы с каналом N SMD WMO10N65C4

 
WMO10N65C4
 
WAYON
Артикул: 778256
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
54.03 грн
5+
42.43 грн
25+
40.12 грн
32+
31.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
4,8А(1492240)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
57Вт(1632300)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9,6нC(1479383)
Технология
WMOS™ C4(1795261)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
19А(1800734)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMO10N65C4
WAYON
Артикул: 778256
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
54.03 грн
5+
42.43 грн
25+
40.12 грн
32+
31.54 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
4,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
57Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9,6нC
Технология
WMOS™ C4
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
19А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g