Транзисторы с каналом N SMD WMO12N80M3

 
WMO12N80M3
 
Артикул: 077737
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
149.62 грн
3+
137.21 грн
10+
119.38 грн
16+
64.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1500 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
620мОм(1628407)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
86Вт(1708593)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
SJ-MOSFET M3(1739749)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,382 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMO12N80M3
WAYON
Артикул: 077737
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
149.62 грн
3+
137.21 грн
10+
119.38 грн
16+
64.34 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1500 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
620мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
86Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
SJ-MOSFET M3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,382 g