0 0 0
  8. WMO5N50D1B

Транзисторы с каналом N SMD WMO5N50D1B

 
WMO5N50D1B
 
WAYON
Артикул: 836333
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 500В; 5А; Idm: 20А; 45Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
10.82 грн
25+
8.97 грн
100+
7.88 грн
140+
7.19 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
5А(1441380)
Сопротивление в открытом состоянии
1,35Ом(1638833)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
45Вт(1607948)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
14нC(1479029)
Технология
WMOS™ D1(1973083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMO5N50D1B
WAYON
Артикул: 836333
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 500В; 5А; Idm: 20А; 45Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
10.82 грн
25+
8.97 грн
100+
7.88 грн
140+
7.19 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
5А
Сопротивление в открытом состоянии
1,35Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
45Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
14нC
Технология
WMOS™ D1
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g