0 0 0
  8. WMO9N50D1B

Транзисторы с каналом N SMD WMO9N50D1B

 
WMO9N50D1B
 
WAYON
Артикул: 836332
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 500В; 9А; Idm: 36А; 104Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.01 грн
10+
13.14 грн
50+
11.59 грн
93+
10.59 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
9А(1441543)
Сопротивление в открытом состоянии
0,68Ом(1492533)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
104Вт(1520829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
72нC(1479338)
Технология
WMOS™ D1(1973083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
36А(1742465)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMO9N50D1B
WAYON
Артикул: 836332
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 500В; 9А; Idm: 36А; 104Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
18.01 грн
10+
13.14 грн
50+
11.59 грн
93+
10.59 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
9А
Сопротивление в открытом состоянии
0,68Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
104Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
72нC
Технология
WMOS™ D1
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
36А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g