0 0 0
  8. WMZ13N65EM

Транзисторы с каналом N SMD WMZ13N65EM

 
WMZ13N65EM
 
WAYON
Артикул: 778685
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 6,5А; Idm: 35А; 85Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
142.88 грн
5+
127.80 грн
10+
102.96 грн
27+
97.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN8x8(1929759)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
6,5А(1479157)
Сопротивление в открытом состоянии
390мОм(1628538)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
85Вт(1618986)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
20,3нC(1775134)
Технология
WMOS™ EM(1960114)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
35А(1789211)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMZ13N65EM
WAYON
Артикул: 778685
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 6,5А; Idm: 35А; 85Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
142.88 грн
5+
127.80 грн
10+
102.96 грн
27+
97.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
DFN8x8
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
6,5А
Сопротивление в открытом состоянии
390мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
85Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
20,3нC
Технология
WMOS™ EM
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
35А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g