0 0 0
  8. WMZ26N65C4

Транзисторы с каналом N SMD WMZ26N65C4

 
WMZ26N65C4
 
WAYON
Артикул: 778709
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
189.33 грн
5+
170.01 грн
8+
138.33 грн
20+
130.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN8x8(1929759)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
10,5А(1441292)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
135Вт(1702216)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22,1нC(1801465)
Технология
WMOS™ C4(1795261)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
40А(1748037)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMZ26N65C4
WAYON
Артикул: 778709
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
189.33 грн
5+
170.01 грн
8+
138.33 грн
20+
130.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
DFN8x8
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
10,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
135Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22,1нC
Технология
WMOS™ C4
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
40А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g