0 0 0
  8. WMZ36N65C4

Транзисторы с каналом N SMD WMZ36N65C4

 
WMZ36N65C4
 
WAYON
Артикул: 778689
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
302.44 грн
5+
219.09 грн
13+
207.18 грн
500+
201.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
CYG WAYON(1433)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN8x8(1929759)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
97мОм(1520447)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
277Вт(1741750)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
16нC(1479019)
Технология
WMOS™ C4(1795261)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD WMZ36N65C4
WAYON
Артикул: 778689
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 20А; Idm: 100А; 277Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
302.44 грн
5+
219.09 грн
13+
207.18 грн
500+
201.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
CYG WAYON
Монтаж
SMD
Корпус
DFN8x8
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
97мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
277Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
16нC
Технология
WMOS™ C4
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g