0 0 0
  7. BYV32E-200PQ

Универсальные диоды THT BYV32E-200PQ

 
BYV32E-200PQ
 
WeEn Semiconductors
Артикул: 841357
Диод: выпрямительный; THT; 200В; 10Аx2; туба; Ifsm: 125А; 1,25÷1,4мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.60 грн
5+
55.80 грн
22+
45.06 грн
60+
42.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
WeEn Semiconductors(1242)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140) SOT78(1801481)
Обратное напряжение макс.
200В(1439532)
Прямой ток макс.
20А(1440134)
Падение напряжения макс.
0,85В(1591616)
Прямой ток
10А x2(1948661)
Конструкция диода
двойной(1600771) общий катод(1497057)
Время готовности
18нс(1733891)
Импульсный ток
125А(1440171)
Вид упаковки
туба(1443467)
Тип диода
выпрямительный(1439519)
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод(1497038)
Толщина радитора
1,25...1,4мм(1440141)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Универсальные диоды THT BYV32E-200PQ
WeEn Semiconductors
Артикул: 841357
Диод: выпрямительный; THT; 200В; 10Аx2; туба; Ifsm: 125А; 1,25÷1,4мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.60 грн
5+
55.80 грн
22+
45.06 грн
60+
42.66 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
WeEn Semiconductors
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Корпус
SOT78
Обратное напряжение макс.
200В
Прямой ток макс.
20А
Падение напряжения макс.
0,85В
Прямой ток
10А x2
Конструкция диода
двойной
Конструкция диода
общий катод
Время готовности
18нс
Импульсный ток
125А
Вид упаковки
туба
Тип диода
выпрямительный
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод
Толщина радитора
1,25...1,4мм
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g