0 0 0
  8. WNSC2M20120R6Q

Транзисторы с каналом N THT WNSC2M20120R6Q

 
WNSC2M20120R6Q
 
WeEn Semiconductors
Артикул: 827906
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 94А; Idm: 200А; 750Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 529.51 грн
2+
1 445.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
WeEn Semiconductors(1242)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
94А(1479473)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
750Вт(1741815)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
32нC(1479130)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-12...22В(1981596)
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT WNSC2M20120R6Q
WeEn Semiconductors
Артикул: 827906
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 94А; Idm: 200А; 750Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 529.51 грн
2+
1 445.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
WeEn Semiconductors
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
94А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
750Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
32нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-12...22В
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g