0 0 0
  8. WNSCM80120R6Q

Транзисторы с каналом N THT WNSCM80120R6Q

 
WNSCM80120R6Q
 
WeEn Semiconductors
Артикул: 827909
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 32А; Idm: 81А; 270Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
892.98 грн
2+
662.53 грн
5+
625.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
WeEn Semiconductors(1242)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
32А(1441566)
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
270Вт(1740763)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
59нC(1479513)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-10...25В(1981126)
Ток стока в импульсном режиме
81А(1918344)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT WNSCM80120R6Q
WeEn Semiconductors
Артикул: 827909
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 32А; Idm: 81А; 270Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
892.98 грн
2+
662.53 грн
5+
625.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
WeEn Semiconductors
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
32А
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
270Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
59нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-10...25В
Ток стока в импульсном режиме
81А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g