0 0 0
  8. YJ4N65CZ

Транзисторы с каналом N THT YJ4N65CZ

 
YJ4N65CZ
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 444341
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 16А; 100Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.55 грн
25+
15.69 грн
88+
11.21 грн
241+
10.59 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
2,6Ом(1441376)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
100Вт(1701916)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Толщина радитора
макс. 1,33мм(1827083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT YJ4N65CZ
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 444341
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4А; Idm: 16А; 100Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.55 грн
25+
15.69 грн
88+
11.21 грн
241+
10.59 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
2,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
100Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
20нC
Толщина радитора
макс. 1,33мм
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g