0 0 0
  8. YJD50N06A

Транзисторы с каналом N SMD YJD50N06A

 
YJD50N06A
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 600452
Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 60В; 42А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.66 грн
25+
18.59 грн
64+
15.82 грн
176+
14.96 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
42А(1479340)
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм(1441314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
21,6Вт(1741956)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
51нC(1610021)
Технология
TRENCH POWER MV(1741651)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD YJD50N06A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 600452
Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 60В; 42А; Idm: 200А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.66 грн
25+
18.59 грн
64+
15.82 грн
176+
14.96 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
42А
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
21,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
51нC
Технология
TRENCH POWER MV
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g