0 0 0
  8. YJD80G06A

Транзисторы с каналом N SMD YJD80G06A

 
YJD80G06A
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077753
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 56А; 42,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.87 грн
25+
17.77 грн
67+
14.68 грн
184+
13.91 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
56А(1479382)
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм(1441289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
42,5Вт(1742150)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Технология
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
240А(1741658)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,359 g
 
Транзисторы с каналом N SMD YJD80G06A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077753
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 56А; 42,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.87 грн
25+
17.77 грн
67+
14.68 грн
184+
13.91 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
56А
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
42,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
31нC
Технология
SPLIT GATE TRENCH
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
240А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,359 g