0 0 0
  8. YJG15N15B

Транзисторы с каналом N SMD YJG15N15B

 
YJG15N15B
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 444325
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 150В; 15А; 29Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.71 грн
25+
18.72 грн
68+
14.42 грн
187+
13.63 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN5x6(1775115)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
15А(1441590)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
29Вт(1520811)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11,6нC(1790314)
Технология
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом N SMD YJG15N15B
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 444325
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 150В; 15А; 29Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.71 грн
25+
18.72 грн
68+
14.42 грн
187+
13.63 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
DFN5x6
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
15А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
29Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11,6нC
Технология
SPLIT GATE TRENCH
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g