0 0 0
  8. YJG80G06A

Транзисторы с каналом N SMD YJG80G06A

 
YJG80G06A
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077756
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 50А; 38Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.56 грн
5+
34.31 грн
25+
30.91 грн
40+
25.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 6135 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN5060-8(1741660)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
50А(1441504)
Сопротивление в открытом состоянии
5мОм(1479249)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
38Вт(1449556)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
67нC(1643344)
Технология
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
320А(1741662)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,134 g
 
Транзисторы с каналом N SMD YJG80G06A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077756
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 50А; 38Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.56 грн
5+
34.31 грн
25+
30.91 грн
40+
25.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 6135 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
DFN5060-8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
50А
Сопротивление в открытом состоянии
5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
38Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
67нC
Технология
SPLIT GATE TRENCH
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
320А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,134 g