0 0 0
  8. YJL02N10A

Транзисторы с каналом N SMD YJL02N10A

 
YJL02N10A
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077759
Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.88 грн
100+
3.33 грн
390+
2.57 грн
500+
2.56 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
1,6А(1479099)
Сопротивление в открытом состоянии
0,31Ом(1743026)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,2Вт(1449368)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,3нC(1693778)
Технология
TRENCH POWER MV(1741651)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
8А(1709892)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом N SMD YJL02N10A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077759
Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; полевой; 100В; 1,6А; Idm: 8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.88 грн
100+
3.33 грн
390+
2.57 грн
500+
2.56 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
1,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,31Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,3нC
Технология
TRENCH POWER MV
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g