0 0 0
  8. YJL03G10A

Транзисторы с каналом N SMD YJL03G10A

 
YJL03G10A
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 444326
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3А; Idm: 121А; 1,2Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
4.57 грн
100+
4.13 грн
250+
3.65 грн
288+
3.40 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом(1702961)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,2Вт(1449368)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,3нC(1479177)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
121А(1826876)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g
 
Транзисторы с каналом N SMD YJL03G10A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 444326
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3А; Idm: 121А; 1,2Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
4.57 грн
100+
4.13 грн
250+
3.65 грн
288+
3.40 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,14Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
121А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g