0 0 0
  8. YJL2301D

Транзисторы с каналом P SMD YJL2301D

 
YJL2301D
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 141014
Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; -15В; -3А; 1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.26 грн
100+
2.93 грн
440+
2.27 грн
1200+
2.14 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-15В(1741669)
Ток стока
-3А(1492259)
Сопротивление в открытом состоянии
87мОм(1708313)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,3нC(1479177)
Технология
TRENCH POWER LV(1741655)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-15А(1741670)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g
 
Транзисторы с каналом P SMD YJL2301D
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 141014
Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; -15В; -3А; 1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.26 грн
100+
2.93 грн
440+
2.27 грн
1200+
2.14 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-15В
Ток стока
-3А
Сопротивление в открытом состоянии
87мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,3нC
Технология
TRENCH POWER LV
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-15А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g