0 0 0
  8. YJQ15GP10A

Транзисторы с каналом P SMD YJQ15GP10A

 
YJQ15GP10A
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 484653
Транзистор: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; -100В; -9,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.89 грн
25+
16.75 грн
72+
13.80 грн
198+
13.00 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 779 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN3.3x3.3 EP(1780753)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-9,5А(1479031)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
17,2Вт(1853674)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
3,98нC(1853675)
Технология
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-45А(1853673)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,051 g
 
Транзисторы с каналом P SMD YJQ15GP10A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 484653
Транзистор: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; -100В; -9,5А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.89 грн
25+
16.75 грн
72+
13.80 грн
198+
13.00 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 779 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
DFN3.3x3.3 EP
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-9,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
17,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3,98нC
Технология
SPLIT GATE TRENCH
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-45А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,051 g