0 0 0
  8. YJQ35N04A

Транзисторы с каналом N SMD YJQ35N04A

 
YJQ35N04A
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077770
Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; 40В; 23А; Idm: 120А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.14 грн
25+
11.83 грн
100+
10.17 грн
270+
9.61 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN3.3x3.3(1741682)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
23А(1479277)
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
40Вт(1628442)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
29нC(1479212)
Технология
TRENCH POWER LV(1741655)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
120А(1741681)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,059 g
 
Транзисторы с каналом N SMD YJQ35N04A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077770
Транзистор: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; 40В; 23А; Idm: 120А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.14 грн
25+
11.83 грн
100+
10.17 грн
270+
9.61 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
DFN3.3x3.3
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
23А
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
40Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
29нC
Технология
TRENCH POWER LV
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
120А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,059 g