0 0 0
  8. YJQ4666B

Транзисторы с каналом P SMD YJQ4666B

 
YJQ4666B
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 141025
Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; -16В; -5,6А; 2,2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
6.11 грн
100+
4.71 грн
270+
3.79 грн
730+
3.59 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  10
Колличество: 3220 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020-6(1741679)
Напряжение сток-исток
-16В(1501016)
Ток стока
-5,6А(1492374)
Сопротивление в открытом состоянии
60мОм(1441262)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,2Вт(1449547)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7,2нC(1479371)
Технология
TRENCH POWER LV(1741655)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-28А(1741683)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g
 
Транзисторы с каналом P SMD YJQ4666B
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 141025
Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; полевой; -16В; -5,6А; 2,2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
6.11 грн
100+
4.71 грн
270+
3.79 грн
730+
3.59 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  10
Колличество: 3220 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020-6
Напряжение сток-исток
-16В
Ток стока
-5,6А
Сопротивление в открытом состоянии
60мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7,2нC
Технология
TRENCH POWER LV
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-28А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g