0 0 0
  8. YJS12G06A

Транзисторы с каналом N SMD YJS12G06A

 
YJS12G06A
 
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077773
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 7,5А; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.44 грн
25+
12.99 грн
100+
9.99 грн
275+
9.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY(1317)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOP8(1459282)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
7,5А(1441286)
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм(1479176)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,24Вт(1742061)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Технология
SPLIT GATE TRENCH(1741657)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
48А(1741686)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD YJS12G06A
YANGJIE TECHNOLOGY
Артикул: 077773
Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 60В; 7,5А; SOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.44 грн
25+
12.99 грн
100+
9.99 грн
275+
9.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж
SMD
Корпус
SOP8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
7,5А
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,24Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
31нC
Технология
SPLIT GATE TRENCH
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g