0 0 0
  7. DACMH160N1200

Транзисторные модули MOSFET DACMH160N1200

 
DACMH160N1200
 
DACO Semiconductor
Артикул: 268565
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; винтами; 580Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
22 491.41 грн
3+
21 952.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DACO Semiconductor(1279)
Рабочая температура
-55...150°C(1819759)
Корпус
HB9434(1705707)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
110А(1479508)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Рассеиваемая мощность
580Вт(1741904)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
SiC(1591568)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Ток стока в импульсном режиме
400А(1714521)
Дополнительная информация: Масса брутто: 174,9 g
 
Транзисторные модули MOSFET DACMH160N1200
DACO Semiconductor
Артикул: 268565
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 110А; HB9434; винтами; 580Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
22 491.41 грн
3+
21 952.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DACO Semiconductor
Рабочая температура
-55...150°C
Корпус
HB9434
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
110А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Рассеиваемая мощность
580Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
SiC
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Топология
полумост MOSFET
Ток стока в импульсном режиме
400А
Дополнительная информация: Масса брутто: 174,9 g