0 0 0
  7. DACMI80N1200

Транзисторные модули MOSFET DACMI80N1200

 
DACMI80N1200
 
DACO Semiconductor
Артикул: 268573
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; винтами; 460Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 850.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DACO Semiconductor(1279)
Рабочая температура
-55...150°C(1819759)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
50А(1441504)
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм(1441517)
Рассеиваемая мощность
460Вт(1741740)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Технология
SiC(1591568)
Напряжение затвор-исток
-10...20В(1981142)
Ток стока в импульсном режиме
250А(1714519)
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,6 g
 
Транзисторные модули MOSFET DACMI80N1200
DACO Semiconductor
Артикул: 268573
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; винтами; 460Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 850.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DACO Semiconductor
Рабочая температура
-55...150°C
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
50А
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм
Рассеиваемая мощность
460Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Технология
SiC
Напряжение затвор-исток
-10...20В
Ток стока в импульсном режиме
250А
Дополнительная информация: Масса брутто: 36,6 g