0 0 0
  8. BSS127SSN-7

Транзисторы с каналом N SMD BSS127SSN-7

 
BSS127SSN-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562583
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 40мА; Idm: 0,16А; 0,61Вт; SC59
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.44 грн
25+
8.34 грн
100+
6.67 грн
165+
6.20 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC59(1596294)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
40мА(1492252)
Сопротивление в открытом состоянии
190Ом(1758488)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,61Вт(1810757)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,08нC(1918327)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,16А(1838850)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BSS127SSN-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562583
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 40мА; Idm: 0,16А; 0,61Вт; SC59
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.44 грн
25+
8.34 грн
100+
6.67 грн
165+
6.20 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SC59
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
40мА
Сопротивление в открытом состоянии
190Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,61Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,08нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g