0 0 0
  7. DMG1024UV-7

Транзисторы многоканальные DMG1024UV-7

 
DMG1024UV-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000183
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,89А; 0,53Вт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
11.36 грн
50+
10.20 грн
120+
8.35 грн
330+
7.88 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 2270 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
0,89А(1644073)
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,53Вт(1742035)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,008 g
 
Транзисторы многоканальные DMG1024UV-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000183
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,89А; 0,53Вт; SOT563
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
11.36 грн
50+
10.20 грн
120+
8.35 грн
330+
7.88 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Колличество: 2270 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
0,89А
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,53Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,008 g