0 0 0
  8. DMN1004UFV-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN1004UFV-7

 
DMN1004UFV-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075929
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 55А; 0,9Вт; PowerDI®3333-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.41 грн
25+
20.40 грн
57+
17.35 грн
157+
16.41 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1843 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerDI®3333-8(1740061)
Напряжение сток-исток
12В(1441274)
Ток стока
55А(1441569)
Сопротивление в открытом состоянии
5,1мОм(1479509)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,9Вт(1742026)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,057 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN1004UFV-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075929
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 55А; 0,9Вт; PowerDI®3333-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.41 грн
25+
20.40 грн
57+
17.35 грн
157+
16.41 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1843 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
PowerDI®3333-8
Напряжение сток-исток
12В
Ток стока
55А
Сопротивление в открытом состоянии
5,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,057 g