0 0 0
  8. DMN1008UFDF-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN1008UFDF-7

 
DMN1008UFDF-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659838
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 9,8А; Idm: 60А; 1Вт; U-DFN2020-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
15.54 грн
30+
13.79 грн
76+
12.97 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2020-6(1628271)
Напряжение сток-исток
12В(1441274)
Ток стока
9,8А(1441288)
Сопротивление в открытом состоянии
12,5мОм(1441540)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
23,4нC(1609977)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN1008UFDF-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659838
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 9,8А; Idm: 60А; 1Вт; U-DFN2020-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.27 грн
10+
15.54 грн
30+
13.79 грн
76+
12.97 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2020-6
Напряжение сток-исток
12В
Ток стока
9,8А
Сопротивление в открытом состоянии
12,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
23,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g